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素尺寸、響應時間等 探測器平板探測器 ***普遍使用 分為兩種:非晶硅、非晶硒 平板探測器非晶硅 目前世界上主要廠家都用這種技術,包括 GE、西門子、飛利浦、柯達等。國內萬東也引進了這種技術。 間接能量轉換過程,所謂間接DR。 兩步數字轉換過程,X-光粒子先變成可見光然后用光電管探測。 平板探測器非晶硅 成像核磁維修、維修核磁,開機測試還是不能出圖,檢查發現GATE等在射頻發射時沒有閃爍,證明門控信號沒有輸出。門控信號由譜儀輸出,檢查譜儀至知識燈之間的線路正常。懷疑譜儀故障,將譜儀拆開后,檢查SW-239門控電子轉換開關損壞。該開關是在射頻發射和信號接收之
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間的轉換。更換損壞器件后,機器恢復正常。作者:司馬雨辰現場進行X射線時,應設置安全線,確定“控制區”及“管理區”,并設明顯警告標志。材料層為摻***的碘化銫閃爍發光晶體排列 ;陣列層由光電二極管和TFT組成。每個二極管對應一個像素。 目前像素尺寸有143*143μm,16*160μm,200*200μm,分辨率3.5LP/mm,灰階4096,響應時間3-5s。 平板探測器晶體非晶硒 或碘化
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